APTM100H46FT3G
零件编号：
APTM100H46FT3G
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Microchip Technology
描述：
MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 配置 4 N-Channel (Full Bridge)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5V @ 2.5mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 260nC @ 10V
- 封装 / 外壳 SP3
- 供应商器件封装 SP3
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1000V (1kV)
- 最大功率 357W
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 19A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 552mOhm @ 16A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6800pF @ 25V