APTM10DHM09T3G
零件编号：
APTM10DHM09T3G
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Microsemi Corporation
描述：
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 2.5mA
- 配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 最大功率 390W
- 封装 / 外壳 SP3
- 供应商器件封装 SP3
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 139A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 10mOhm @ 69.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 350nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 9875pF @ 25V