BSZ0907NDXTMA2
零件编号：
BSZ0907NDXTMA2
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Infineon Technologies
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6.7A WISON-8
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2V @ 250µA
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 供应商器件封装 PG-WISON-8
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6.7A (Ta), 8.5A (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 9.5mOhm @ 9A, 10V, 7.2mOhm @ 9A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.4nC @ 4.5V, 7.9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 730pF @ 15V, 900pF @ 15V
- 最大功率 700mW (Ta), 860mW (Ta)