BUK4D60-30H
零件编号：
BUK4D60-30H
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Nexperia USA Inc.
描述：
BUK4D60-30/SOT1220/DFN2020MD-6
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30 V
- 最大栅源电压 ±12V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.25V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V
- 封装 / 外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 2.5V, 8V
- 供应商器件封装 DFN2020MD-6
- 最大功耗 2W (Ta), 7.5W (Tc)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 296 pF @ 15 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 4.2A (Ta), 8.3A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 57mOhm @ 4.2A, 8V