BUK9MTT-65PBB,518
零件编号：
BUK9MTT-65PBB,518
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Nexperia USA Inc.
描述：
MOSFET 2N-CH 65V 3.8A 20SO
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装 / 外壳 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2V @ 1mA
- 供应商器件封装 20-SO
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 3.8A (Tc)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 535pF @ 25V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6.3nC @ 5V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 65V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 90.4mOhm @ 3A, 10V
- 最大功率 3.15W (Tc)