CMS120N080B
零件编号：
CMS120N080B
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Bruckewell
描述：
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- 供应商器件封装 TO-263-7
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200 V
- 封装 / 外壳 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- 最大功耗 188W (Tc)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 10mA
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 最大栅源电压 +20V, -5V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 90mOhm @ 10A, 20V