DI006H03SQ
零件编号：
DI006H03SQ
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Diotec Semiconductor
描述：
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A 8SO
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 供应商器件封装 8-SO
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 配置 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 590pF @ 15V, 631pF @ 15V
- 最大功率 1.5W (Ta)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6A (Ta), 4.2A (Ta)