DMG1016UDWQ-7
零件编号：
DMG1016UDWQ-7
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Diodes Incorporated
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 1.066A SOT363
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 零件状态 Not For New Designs
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1V @ 250µA
- 封装 / 外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 供应商器件封装 SOT-363
- 配置 N and P-Channel Complementary
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
- 最大功率 330mW (Ta)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1.066A (Ta), 845mA (Ta)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 736.6nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 60.67pF @ 10V, 59.76pF @ 16V