DMN2030UCA4-7
零件编号：
DMN2030UCA4-7
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Diodes Incorporated
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 6.3A X4-DSN1111
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20V
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 封装 / 外壳 4-XFBGA, DSBGA
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6.3A (Ta)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5.6nC @ 10V
- 最大功率 1W (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 32mOhm @ 1.7A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.4V @ 160µA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 523pF @ 10V
- 供应商器件封装 X4-DSN1111-4