DMT26M0LDG-13
零件编号：
DMT26M0LDG-13
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Diodes Incorporated
描述：
MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 25V
- 配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V
- 最大功率 1.24W (Ta)
- 供应商器件封装 PowerDI3333-8 (Type F)