DMT35M8LDG-7
零件编号：
DMT35M8LDG-7
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Diodes Incorporated
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.9V @ 250µA
- 配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
- 供应商器件封装 PowerDI3333-8 (Type G)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 17A (Ta), 15.3A (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
- 最大功率 980mW (Ta), 2W (Tc)