DMTH10H032SDVW-7
零件编号：
DMTH10H032SDVW-7
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Diodes Incorporated
描述：
MOSFET 2N-CH 100V 6.2A PWRDI3333
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 8nC @ 10V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
- 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 35mOhm @ 5A, 10V
- 最大功率 1.4W (Ta)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 544pF @ 50V
- 供应商器件封装 PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)