ECH8601M-TL-H-P
零件编号：
ECH8601M-TL-H-P
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
onsemi
描述：
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 150°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 8A (Ta)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1.3V @ 1mA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 24V
- 封装 / 外壳 8-SMD, Flat Leads
- 配置 2 N-Channel (Dual) Common Drain
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
- 供应商器件封装 8-ECH
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate, 2.5V Drive
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 23mOhm @ 4A, 4.5V