EPC2101ENGRT
零件编号：
EPC2101ENGRT
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
EPC
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Discontinued at
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 最大功率 -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60V
- 封装 / 外壳 Die
- 供应商器件封装 Die
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 2mA
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 11.5mOhm @ 20A, 5V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 2.7nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 300pF @ 30V