F411MR12W3M1HB11BPSA1
零件编号：
F411MR12W3M1HB11BPSA1
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Infineon Technologies
描述：
F411MR12W3M1HB11BPSA1
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 供应商器件封装 -
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 Module
- 最大功率 -
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 75A (Tj)
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
- 配置 4 N-Channel
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6600pF @ 800V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 16mOhm @ 75A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5.15V @ 30mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 223nC @ 18V