F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
零件编号：
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Infineon Technologies
描述：
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
包装：
Tray
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 Module
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 最大功率 -
- 供应商器件封装 Module
- 配置 4 N-Channel (Full Bridge)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 39.4mOhm @ 35A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.45V @ 1.74mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 141nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6950pF @ 400V