FDMD8540L
零件编号：
FDMD8540L
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
onsemi
描述：
MOSFET 2N-CH 40V 33A 8PWR 5X6
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 40V
- 最大功率 2.3W
- 封装 / 外壳 8-PowerWDFN
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 1.5mOhm @ 33A, 10V
- 供应商器件封装 8-Power 5x6
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 33A, 156A
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 113nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 7940pF @ 20V