FDMS3669S
零件编号：
FDMS3669S
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Fairchild Semiconductor
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 13A 8PQFN
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 供应商器件封装 8-PQFN (5x6)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 13A (Ta), 24A (Tc), 18A (Ta), 60A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 10mOhm @ 13A, 10V, 5mOhm @ 18A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.7V @ 250µA, 2.5V @ 1mA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 24nC @ 10V, 34nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1605pF @ 15V, 2060pF @ 15V
- 最大功率 1W (Ta), 2.2W (Tc), 1W (Ta), 2.5W (Tc)