FDS8958B_G
零件编号：
FDS8958B_G
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
onsemi
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 供应商器件封装 8-SO
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 配置 N and P-Channel
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3V @ 250µA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 最大功率 900mW
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 6.4A, 4.5A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 26mOhm @ 6.4A, 10V, 51mOhm @ 4.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 540pF @ 15V, 760pF @ 15V