FPF1C2P5BF07A
零件编号：
FPF1C2P5BF07A
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Fairchild Semiconductor
描述：
MOSFET 5N-CH 650V 36A F1
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs -
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds -
- 最大功率 250W
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 36A
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 3.8V @ 250µA
- 配置 5 N-Channel (Solar Inverter)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 90mOhm @ 27A, 10V
- 封装 / 外壳 F1 Module
- 供应商器件封装 F1