G085C03D32
零件编号：
G085C03D32
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2V @ 250µA
- 配置 N and P-Channel
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
- 供应商器件封装 8-DFN (3.15x3.05)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 18nC @ 10V, 25nC @ 10V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 28A (Tc), 12A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V
- 最大功率 13W (Tc), 30W (Tc)