G18N20T
零件编号：
G18N20T
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 TO-220-3
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 200 V
- 供应商器件封装 TO-220
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 18A (Tc)
- 最大功耗 110W (Tc)
- 最大栅源电压 ±30V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 31 nC @ 5 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 190mOhm @ 8A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1120 pF @ 100 V