G18NP06Y
零件编号：
G18NP06Y
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 18A (Tc)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60V
- 封装 / 外壳 TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
- 配置 N and P-Channel, Common Drain
- 供应商器件封装 TO-252-4
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
- 最大功率 45W (Tc), 50W (Tc)