G1NP02LLE
零件编号：
G1NP02LLE
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET 20V 1.3A SOT23-6L
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 20V
- 封装 / 外壳 SOT-23-6
- 供应商器件封装 SOT-23-6L
- 最大功率 1.25W (Tc)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1.3A (Tc), 1.1A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 210mOhm @ 650mA, 4.5V, 460mOhm @ 500mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 1V @ 250µA, 800mV @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 1nC @ 4.5V, 1.22nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 146pF @ 10V, 177pF @ 10V