GC085N65QF
零件编号：
GC085N65QF
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET N-CH 650V 40A 299W TO-247
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 40A (Tc)
- 供应商器件封装 8-SOP
- 最大栅源电压 ±30V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 76 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4.6V @ 250µA
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 85mOhm @ 21.5A, 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2350 pF @ 400 V
- 最大功耗 299W (Tc)