GT010N10TT
零件编号：
GT010N10TT
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET N-CH 100V 380A 412W TOLT
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 最大栅源电压 ±20V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 220 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 TO-263
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 1.3mOhm @ 50A, 10V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 380A (Tc)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 13200 pF @ 50 V
- 最大功耗 412W (Tc)