GT045N10D5
零件编号：
GT045N10D5
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET N-CH 100V 120A 180W 5.0m
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 最大功耗 180W (Tc)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 60 nC @ 10 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 5mOhm @ 30A, 10V
- 供应商器件封装 8-DFN (4.9x5.75)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 4217 pF @ 50 V