GT180P08D5
零件编号：
GT180P08D5
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Goford Semiconductor
描述：
MOSFET P-CH 80V 78A 178W 18M(MAX
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 10V
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应晶体管类型 P-Channel
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
- 最大栅源电压 20V
- 漏极至源极电压 (Vdss) 80 V
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 18mOhm @ 20A, 10V
- 最大功耗 178W (Tc)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 78A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 62.1 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 8-DFN (4.9x5.75)
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 6998 pF @ 40 V