HAT2218R-EL-E
零件编号：
HAT2218R-EL-E
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Renesas Electronics Corporation
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/8A 8SOP
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 封装 / 外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 -
- 工作温度 150°C (TJ)
- 供应商器件封装 8-SOP
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 最大功率 1.5W
- 配置 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 630pF @ 10V
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate, 4.5V Drive
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 7.5A, 8A
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 24mOhm @ 3.75A, 10V