HP8KC6TB1
零件编号：
HP8KC6TB1
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 8.5A 8HSOP
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 60V
- 供应商器件封装 8-HSOP
- 封装 / 外壳 8-PowerTDFN
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 7.6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 460pF @ 30V
- 最大功率 3W (Ta), 21W (Tc)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 23A (Tc)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 27mOhm @ 8.5A, 10V