HS8K1TB
零件编号：
HS8K1TB
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 10A HSML3030L10
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 1mA
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 30V
- 封装 / 外壳 8-UDFN Exposed Pad
- 供应商器件封装 HSML3030L10
- 最大功率 2W (Ta)
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 10A (Ta), 11A (Ta)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 348pF @ 15V, 429pF @ 15V