ICPB1005-1-110I
零件编号：
ICPB1005-1-110I
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Microchip Technology
描述：
DC-14 GHZ 25W DISCRETE GAN HEMT
包装：
Box
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） 2A
- 配置 -
- 噪声系数 -
- 封装 / 外壳 Die
- 供应商器件封装 Die
- 额定电压 28 V
- 功率 - 输出 25W
- 电压 - 测试 28 V
- 电流 - 测试 250 mA
- 增益 6.4dB
- 技术 GaN HEMT
- 频率 14GHz