ICPB2002-1-110I
零件编号：
ICPB2002-1-110I
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Microchip Technology
描述：
DC-12 GHZ 12W DISCRETE GAN HEMT
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） 1A
- 配置 -
- 噪声系数 -
- 封装 / 外壳 Die
- 供应商器件封装 Die
- 额定电压 28 V
- 增益 10dB
- 电压 - 测试 28 V
- 功率 - 输出 12W
- 频率 12GHz
- 电流 - 测试 125 mA
- 技术 GaN HEMT