IGN1011L70
零件编号：
IGN1011L70
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Integra Technologies Inc.
描述：
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 增益 22dB
- 电压 - 测试 50 V
- 频率 1.03GHz ~ 1.09GHz
- 功率 - 输出 80W
- 额定电压 120 V
- 技术 GaN HEMT
- 电流 - 测试 22 mA
- 封装 / 外壳 PL32A2
- 供应商器件封装 PL32A2