IMBG65R026M2HXTMA1
零件编号：
IMBG65R026M2HXTMA1
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
Infineon Technologies
描述：
SILICON CARBIDE MOSFET
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 68A (Tc)
- 最大功耗 263W (Tc)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 42 nC @ 18 V
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 15V, 20V
- 最大栅源电压 +23V, -7V
- 供应商器件封装 PG-TO263-7-12
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1499 pF @ 400 V
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 24mOhm @ 34.5A, 20V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5.6V @ 7mA