IMSQ120R026M2HHXUMA1
零件编号：
IMSQ120R026M2HHXUMA1
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Infineon Technologies
描述：
SIC DISCRETE
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 83A (Tc)
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 技术 Silicon Carbide (SiC)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5.1V @ 8.6mA
- 最大功率 410W (Tc)