IMT65R50M2HXUMA1
零件编号：
IMT65R50M2HXUMA1
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Infineon Technologies
描述：
MOSFET 2N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 -
- 认证 -
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 封装 / 外壳 8-PowerSFN
- 漏极至源极电压 (Vdss) 650V
- 供应商器件封装 PG-HSOF-8-2
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 5.6V @ 3.7mA
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 62mOhm @ 18.2A, 18V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 48.1A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 22nC @ 18V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 790pF @ 400V
- 最大功率 237W (Tc)