IPB027N10N3G
零件编号：
IPB027N10N3G
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
UMW
描述：
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100 V
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 工作温度 -55°C ~ 175°C
- 供应商器件封装 TO-263-3
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 120A
- 最大功耗 300W