IPG20N10S4L35AATMA1
零件编号：
IPG20N10S4L35AATMA1
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Infineon Technologies
描述：
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Active
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 等级 Automotive
- 认证 AEC-Q101
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 场效应晶体管特性 Logic Level Gate
- 封装 / 外壳 8-PowerVDFN
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 安装类型 Surface Mount, Wettable Flank
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 20A
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 17.4nC @ 10V
- 最大功率 43W
- 供应商器件封装 PG-TDSON-8-10
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 35mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.1V @ 16µA
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1105pF @ 25V