IRFHE4250DTRPBF
零件编号：
IRFHE4250DTRPBF
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
International Rectifier
描述：
MOSFET 2N-CH 25V 86A 32QFN
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏极至源极电压 (Vdss) 25V
- 封装 / 外壳 32-PowerVFQFN
- 供应商器件封装 32-PQFN (6x6)
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 86A (Tc), 303A (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
- 最大功率 156W (Tc)