规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 内存类型 Volatile
- 工作温度 -40°C ~ 85°C (TC)
- 写入周期时间 - 字，页 15ns
- 访问时间 5.5 ns
- 内存格式 DRAM
- 内存容量 4Gbit
- 时钟频率 533 MHz
- 存储器结构 128M x 32
- 封装 / 外壳 134-TFBGA
- 供应商器件封装 134-TFBGA (10x11.5)
- 电压 - 供电 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
- 技术 SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
- 内存接口 HSUL_12