JANTXV2N7334
零件编号：
JANTXV2N7334
产品分类：
场效应晶体管，MOSFET 阵列
制造商：
Microsemi Corporation
描述：
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 封装 / 外壳 14-DIP (0.300", 7.62mm)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 4V @ 250µA
- 场效应晶体管特性 -
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 等级 Military
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 1A
- 最大功率 1.4W
- 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds -
- 漏极至源极电压 (Vdss) 100V
- 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 60nC @ 10V
- 配置 4 N-Channel
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 700mOhm @ 600mA, 10V
- 认证 MIL-PRF-19500/597
- 供应商器件封装 MO-036AB