MDDG10R08D
零件编号：
MDDG10R08D
产品分类：
单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
MDD
描述：
MOSFET N 100V 70A TO252
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应晶体管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 最大栅源电压 ±20V
- 场效应晶体管特性 -
- 等级 -
- 认证 -
- Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压（最大值）@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
- 封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 工作温度 -55°C ~ 150°C
- 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 2.5V, 10V
- 供应商器件封装 TO-252
- 导通电阻（最大值）@漏极电流，栅源电压 8.2mOhm @ 30A, 10V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C 70A
- 最大功耗 100W