MHE1003NR3
零件编号：
MHE1003NR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Surface Mount
- 噪声系数 -
- 频率 2.4GHz ~ 2.5GHz
- 技术 LDMOS
- 额定电压 65 V
- 电流 - 测试 50 mA
- 电压 - 测试 28 V
- 额定电流（安培） 10µA
- 增益 14.1dB
- 封装 / 外壳 OM-780-2
- 供应商器件封装 OM-780-2
- 功率 - 输出 53dBm