MHTG1200HSR3
零件编号：
MHTG1200HSR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET GAN NI780
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 额定电压 50 V
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） -
- 增益 -
- 噪声系数 -
- 频率 2.4GHz ~ 2.5GHz
- 功率 - 输出 300W
- 封装 / 外壳 NI-780S-4L
- 供应商器件封装 NI-780S-4L
- 技术 GaN
- 配置 2 N-Channel