MMRF1312GSR5
零件编号：
MMRF1312GSR5
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 技术 LDMOS
- 电压 - 测试 50 V
- 电流 - 测试 100 mA
- 配置 Dual
- 功率 - 输出 1000W
- 频率 1.03GHz
- 增益 19.6dB
- 额定电压 112 V
- 封装 / 外壳 NI-1230-4S GW
- 供应商器件封装 NI-1230-4S GULL