MMRF1314H-1200
零件编号：
MMRF1314H-1200
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 52V NI1230
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 噪声系数 -
- 增益 17.7dB
- 电流 - 测试 100 mA
- 频率 1.2GHz ~ 1.4GHz
- 额定电流（安培） 10µA
- 封装 / 外壳 SOT-979A
- 功率 - 输出 1000W
- 供应商器件封装 NI-1230-4H
- 额定电压 105 V
- 技术 LDMOS (Dual)
- 配置 2 N-Channel
- 电压 - 测试 52 V