MRF8S21100HR3
零件编号：
MRF8S21100HR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET 28V NI780
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Chassis Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 增益 18.3dB
- 配置 N-Channel
- 额定电压 65 V
- 封装 / 外壳 SOT-957A
- 电压 - 测试 28 V
- 电流 - 测试 700 mA
- 功率 - 输出 24W
- 频率 2.17GHz
- 供应商器件封装 NI-780H-2L