MRFE6VP5600HSR5
零件编号：
MRFE6VP5600HSR5
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 增益 25dB
- 电压 - 测试 50 V
- 电流 - 测试 100 mA
- 额定电压 130 V
- 功率 - 输出 600W
- 封装 / 外壳 NI-1230-4S
- 供应商器件封装 NI-1230-4S
- 频率 1.8MHz ~ 600MHz
- 技术 LDMOS (Dual)
- 配置 2 N-Channel