MRFE6VP6600GNR3
零件编号：
MRFE6VP6600GNR3
产品分类：
射频场效应晶体管，金属氧化物半导体场效应晶体管
制造商：
NXP USA Inc.
描述：
RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4
包装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
Yes
货币：
-
PDF：
资料
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 额定电流（安培） -
- 噪声系数 -
- 技术 LDMOS
- 电压 - 测试 50 V
- 电流 - 测试 100 mA
- 配置 Dual
- 功率 - 输出 600W
- 频率 230MHz
- 额定电压 133 V
- 封装 / 外壳 OM-780G-4L
- 供应商器件封装 OM-780G-4L
- 增益 24.7dB